Aluminum gallium nitride（铝镓氮化物）：一种由氮化铝（AlN）与氮化镓（GaN）形成的Ⅲ族氮化物半导体合金，常写作 AlGaN。通过改变铝含量可调控材料的带隙与发光/吸收波长，广泛用于深紫外LED/激光器、高电子迁移率晶体管（HEMT）、高功率/高频电子器件等。
/əˈluːmɪnəm ˈɡæliəm ˈnaɪtraɪd/
Aluminum gallium nitride is widely used in deep-UV LEDs.
铝镓氮化物被广泛用于深紫外LED。
By increasing the aluminum content in aluminum gallium nitride, researchers can widen the bandgap and push emission toward shorter wavelengths.
通过提高铝镓氮化物中的铝含量，研究人员可以增大带隙，并使发射波长向更短的方向移动。
这是一个材料化学命名：由元素名 aluminum（铝） 与 gallium（镓） 加上化合物类别 nitride（氮化物） 组合而成，表示“由铝、镓与氮构成的氮化物（合金半导体）”。在半导体领域常用缩写 AlGaN，体现其由 Al、Ga、N 三部分组成。
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